研究人员揭示了如何利用界面多铁材料中的应变来控制磁化方向

导读 使用低电场控制磁化方向对于开发高效的自旋电子器件是必要的。在自旋电子学中,电子自旋或磁矩的特性用于存储信息。可以通过应变轨道磁矩来...

使用低电场控制磁化方向对于开发高效的自旋电子器件是必要的。在自旋电子学中,电子自旋或磁矩的特性用于存储信息。可以通过应变轨道磁矩来操纵电子自旋,以产生高性能磁电效应。

东京大学的 Jun Okabayashi 等研究人员揭示了界面多铁性材料中应变诱导的轨道控制机制。在多铁性材料中,可以使用电场控制磁性,这可能会导致高效的自旋电子器件。Okabayashi 和他的同事研究的界面多铁性材料由铁磁材料和压电材料之间的结组成。材料的磁化方向可以通过施加电压来控制。

研究小组展示了材料中大磁电效应的微观起源。压电材料产生的应变可以改变铁磁材料的轨道磁矩。他们揭示了使用可逆应变对界面多铁性材料进行元素特定轨道控制,并为设计具有大磁电效应的材料提供了指导。这些发现将有助于开发耗电量更少的新信息写入技术。

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